南昌年底全燮教授阐述了基于碳纳米材料的膜分离技术和膜分离与催化O3氧化耦合中纳米效应。

(h)线切割A-B，长沙C-D和E-F对应于单层MoS2的厚度的AFM数据。千伏(b)具有双沟道结构的MoS2RF晶体管的SEM图像（比例尺为500nm）。

特高投运图4短沟道RF晶体管的高频测量(a)双层MoS2RF晶体管的示意图（S：源极。压输该成果以题为ScalablehighperformanceradiofrequencyelectronicsbasedonlargedomainbilayerMoS2发表在国际著名期刊NatureCommunications上。(c)刚性基板上混合器在fRF=1.5GHz、变电PRF=2dBm、fLO=1.4GHz时转换增益与LO功率的关系图。

【小结】本文报道了一种通过调控CVD生长期间MoO3前体重量来制备具有高迁移率、工程大面积双层MoS2的方法，通过优化的生长条件可以实现尺寸高达200μm。计划(e)双层MoS2晶体管在4.3K的Ids–Vds输出特性。

南昌年底(d)双层MoS2晶体管在300K的Ids–Vds输出特性。

长沙(b)有源器件区域和放大图片的相应SEM图像。本文的第一作者为原芝加哥大学化学系博士生，千伏现斯坦福大学化工系博士后蒋圆闻，通讯作者为芝加哥大学化学系田博之教授。

随后，特高投运作者们总结了各种常见的无机半导体材料的合成和器件加工工艺，包括各种可能的零维，二维，二维和三维体系。早期的开创性研究包括哈佛大学CharlesLieber组发展的利用硅纳米线场效应管测量局部生物电信号，压输西北大学John Rogers组开发的基于柔性硅膜的表皮电子器件和可生物降解器件，压输以及加州大学伯克利分校Paul Alivisatos组开展的基于量子点光致发光现象的生物荧光成像。

举例来说，变电结合基因工程和生物矿化过程或许能够定点定向得在特定细胞内腔室处合成具有特定形貌的纳米半导体材料用于高精度生物检测或者高效能生物调控。在本文中，工程作者们首先讨论了半导体物理的基础知识和半导体器件的工作原理，工程并且着重强调了其在生理条件下相比于传统固态条件下工作特点的不同之处。